三大核心技术

🫧
纳米气泡技术

通过纳米级膜孔逼发与高速流体剪切技术,产生 50-200nm 超细气泡,具有高稳定性、强传质能力,破裂释放·OH 自由基强化氧化降解。

核心技术指标
气泡粒径50-200 nm
气泡浓度9.8 亿/mL
氧转移效率>90%
工作压力≤16 bar
处理流量5-50 m³/h
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🔬
SiC 陶瓷膜

1600℃ 高温烧结碳化硅陶瓷膜,莫氏硬度 9 级,具有优异的耐温、耐腐蚀性能,配合超重力旋流工艺,大幅降低膜污染。

核心技术指标
耐温范围200-300℃
耐腐蚀性pH 1-14
使用寿命5-8 年
通量恢复率>95%
孔隙率40-50%
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🌀
超重力旋流工艺

通过高速旋转产生 100-500g 离心加速度,形成超重力场,使污染物远离膜表面,膜表面剪切力提升 10 倍,显著降低膜污染。

核心技术指标
离心加速度100-500 g
剪切力提升10 倍
膜污染降低96.4%
清洗周期30-35 天
通量提升2-3 倍
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技术原理

纳米气泡发生原理

纳米气泡通过两大核心机制产生:膜孔挤出发泡与高速流体剪切气泡剥离。

膜孔挤出发泡:水在高压下通过纳米级膜孔,被强制挤压成微小气泡。气泡直径由膜孔径决定,可精确控制在 50-200nm 范围。

高速流体剪切:高速水流(剪切速率 10⁴ s⁻¹)在膜表面产生强剪切力,将气泡从膜孔快速剥离并分散。

·OH 自由基生成:纳米气泡在破裂瞬间,局部温度和压力急剧升高,水分子分解产生羟基自由基(·OH),具有强氧化能力,可降解有机污染物。

🫧纳米气泡
50-200nm
🔬SiC 陶瓷膜
耐温 200-300℃

SiC 陶瓷膜特性

碳化硅(SiC)是目前已知硬度最高的工业陶瓷材料之一,莫氏硬度达 9 级,仅次于金刚石。

高温烧结工艺:SiC 陶瓷膜在 1600℃ 高温下烧结成型,形成致密的陶瓷结构,孔径分布均匀,机械强度高。

耐温耐腐蚀:可在 200-300℃ 高温下稳定运行,耐受 pH 1-14 全范围腐蚀,适用于各种严苛工况。

长寿命低衰减:膜通量恢复率超过 95%,使用寿命 5-8 年,大幅降低膜更换频率和维护成本。

超重力旋流抗污染机理

超重力旋流技术通过高速旋转产生强离心力场,实现污染物与膜表面的高效分离。

离心分离:100-500g 向心加速度使含油污水在旋流场内高速旋转,油滴和固体污染物受离心力作用向中心聚集并移除,避免在膜表面沉积。

剪切冲刷:高速旋转产生的水力剪切冲刷膜表面,阻止污染物在膜孔内吸附和堵塞。

污染控制:实测数据显示,超重力旋流使膜污染速率从 35 Pa/day 降至 1.25 Pa/day,污染控制率达 96.4%。

🌀超重力旋流
100-500g

技术指标对比

艾瑞浮核心技术与行业平均水平的对比

技术指标艾瑞浮技术行业传统技术提升幅度
膜污染控制率96.4%常规膜
膜通量提升 2-3 倍基准+100-200%
清洗周期30-35 天7-10 天延长 3-4 倍
膜使用寿命5-8 年1-3 年延长 2-5 倍
耐温范围200-300℃≤60℃大幅扩展
耐腐蚀性pH 1-14pH 3-11全范围
氧转移效率>90%60-70%+20-30%
能耗降低 60-70%基准节省 60-70%

技术资料下载

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